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電容器無功補償投切方式有好多種，隨著時代的發(fā)展從最開始的交流接觸器投切方式到現(xiàn)在比較流行的復(fù)合開關(guān)投切和同步開關(guān)投切，其中的方式各有優(yōu)勢，而它們之間的區(qū)別都有哪些呢？

低壓并聯(lián)電容器無功補償?shù)耐肚虚_關(guān)大致以下幾種：

(一) 使用電容專用交流接觸器來進行控制投切
由于電容器的特性讓電壓不能立即變化，因此電容器投入時會形成很大的涌流，涌流最大時可能超過多倍電容器額定電流。涌流會對電網(wǎng)產(chǎn)生不利的干擾，也會降低電容器的使用壽命。這種投切開關(guān)價格低廉，可靠性較高，應(yīng)用最為普遍。由于交流接觸器的觸頭壽命有限，不適合頻繁投切，因此這類補償裝置不適用頻繁變化的負荷情況。

(二) 使用晶閘管可控硅開關(guān)來進行控制投切
由于晶閘管很容易受涌流的沖擊而損壞，因此晶閘管必須過零觸發(fā)，要使得晶閘管達到過零觸發(fā)的條件不太容易，非常困難。加上該裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，價格高，可靠性差，損耗大，除了負荷頻繁變化的場合，在其余場合幾乎沒有使用價值。

(三) 使用復(fù)合開關(guān)來進行控制投切
復(fù)合開關(guān)同時具備了交流接觸器和電力電子投切開關(guān)二者的優(yōu)點，不但抑制了涌流、避免了拉弧，而且晶閘管功耗明顯降低，不再需要配備笨重的散熱器和冷卻風(fēng)扇。把二者結(jié)合起來的關(guān)鍵是兩元件間的時序配合必須默契，可控硅開關(guān)負責(zé)控制電容器的投入和切除，交流接觸器負責(zé)保持電容器投入后的接通，當(dāng)接觸器投入后可控硅開關(guān)就立即退出運行，這樣就避免了晶閘管元件的損耗發(fā)熱。

復(fù)合開關(guān)的過零是由電壓過零型光耦檢測控制的，從微觀上看它并不是真正意義上的過零投切，而是在觸發(fā)電壓低于16V～40V 時（相當(dāng)于2～5度電角度）導(dǎo)通，仍有一定的涌流。再加上它既使用可控硅又使用繼電器，結(jié)構(gòu)就變得相當(dāng)復(fù)雜，而且由于晶閘管對dv/dt的敏感性也導(dǎo)致其比較容易損壞。由此可見，目前使用于低壓補償裝中的各種投切開關(guān)都不是十分完美的。

(四) 使用同步開關(guān)(又名選相開關(guān))來進行控制投切
同步開關(guān)是近年來發(fā)展起來的一種新型專用無功補償電容器投切開關(guān)，是傳統(tǒng)的機械開關(guān)與現(xiàn)代微電子技術(shù)的完美結(jié)合產(chǎn)物。它吸收了交流接觸器控制結(jié)構(gòu)簡單，復(fù)合開關(guān)零電壓投入、零電流切除等優(yōu)點，成功地將投入、切除產(chǎn)生的瞬間涌流控制在額定運行電流的3倍以內(nèi)，完美地解決了在電容器投切過程中出現(xiàn)的高電壓諧波和大涌流等問題。

同步開關(guān)不再使用晶閘管元件，而是以單片機為核心，輔以高精度的采樣回路和合理的程序設(shè)計替換了復(fù)合開關(guān)中最易損壞的晶閘管元件，不僅避免了因晶閘管組件的存在所容易出現(xiàn)的故障，還將選相精度從原來復(fù)合開關(guān)的2～5電度角提高到1電度角，在一定意義上的做到了無涌流，實現(xiàn)了較為理想的過零投切；而且為了更進一步抑制電容器投切開關(guān)開斷時的暫態(tài)過電壓，同步開關(guān)還增設(shè)了有效的放電回路，將過電壓限定在安全區(qū)以內(nèi)，使其能安全可靠的頻繁投切。

同步開關(guān)應(yīng)用了單片機技術(shù)，不僅能通過RS485通訊控制方式對多至64路電容器進行控制，還具備通訊功能，可將基層單位的電氣測量信息實時發(fā)送到上級電網(wǎng)，為發(fā)展智能化電網(wǎng)作好準(zhǔn)備；同步開關(guān)還可以實現(xiàn)共補和分補，以適應(yīng)用戶的不同需求；同步開關(guān)的驅(qū)動功耗僅有1-3W，做到了節(jié)約能源。

晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應(yīng)時間小于18ms，完美取代傳統(tǒng)投切裝置。